Высокая температура плавления кремния (1415 °С) не могла быть достигнута на электронагревательных печах. Поэтому в СССР эксперименты по получению монокристаллов кремния были проведены на высотных ракетах Мир. Образцы имели диаметр 20 мм и длину 80 мм и помещались в кварцевых ампулах. Использовались установки с экзотермическим подогревом и отводом теплоты в мощные металлические обоймы. На этих установках была проведена также серия экспериментально направленной кристаллизации германия.
В этих экспериментах наблюдается отрыв расплава от стенок ампул и существенное повышение скорости роста кристалла. Полученные образцы диаметром 8 ...10 мм и длиной до 30 ... 35 мм обладали высоким совершенством структуры, пониженной плотностью дислокаций, равномерностью распределения легирующих примесей.
На ОС серии Салют проведена серия экспериментов по получению германия различными методами в ампульных электронагревных печах Кристалл и Сплав. Обнаружено большое влияние стенок ампул, во многих случаях появились области ограниченного смачивания. Выявлено существенное влияние микроускорений, так, например, при а ~ 10 влияние конвекции на массообмен приблизительно в 2 раза слабее, чем в экспериментах на Земле.
При использовании методов газотранспортного переноса получены кристаллы высокого качества, при этом массообмен осуществлялся в основном за счет диффузии.
Арсенид галлия GaAs привлекает в настоящее время наибольшее внимание. Только одно то, что использование GaAs для создания сверхбольших интегральных схем позволяет более чем на порядок увеличить быстродействие электронных вычислительных машин, оправдывает затраты на совершенствование технологии его производства. Мировое производство арсенида галлия непрерывно увеличивается. Областями его применения являются арифметические устройства сверхвысокого быстродействия, быстродействующие запоминающие устройства большой мощности. Арсенид галлия уже применяется для создания солнечных батарей с повышенным коэффициентом полезного действия. Арсенид галлия широко применяется во многих областях создания электронных приборов, полупроводниковых лазерах, фотоприемниках, приборах СВЧ-техники и транзисторах.
Существенной особенностью арсенида галлия, оказывающей влияние на технологию его получения, является высокое давление паров мышьяка (98 • 103 Па) при температуре плавления соединения и, как следствие, опасность его разложения. Поэтому синтез GaAs и выращивание его кристаллов ведется при повышенном давлении под слоем флюса. На современных промышленных установках на Земле выращиваются кристаллы GaAs диаметром до 100 мм. В качестве основных легирующих примесей для проводимости л-типа используются Те, Se, S, Sn, Si и для получения проводимости р-типа - Zn, Cd, Ge.
Фосфид индия JnP получает все большее распространение и используется для получения источников излучения и фотоприемников на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм, находящихся в диапазоне прозрачности кварцевых стекловолокон. В связи с быстрым развитием волоконно-оптических линий связи производство фосфида индия непрерывно возрастает и составляет в капиталистических странах в настоящее время примерно 1,5 т в год. Фосфид индия применяется также при создании транзисторов, приборов для СВЧ-техники и быстродействующих интегральных схем.
