Технология получения фосфида индия является достаточно сложной из-за высокого давления паров фосфора над расплавом. В связи с этим процессы синтеза и выращивания монокристаллов производятся в специальных тиглях под давлением с использованием флюсов. Полученные кристаллы имеют диаметр до 60 ... 80 мм. В качестве легирующих примесей для получения проводимости л-типа используются S, Se, Те, Si и для p-типа Zn и Cd.
Антимонид индия JnSb, арсенид индия JnAs, фосфид галлия GaP — относятся к широко применимым в электронике полупроводниковым материалам. Антимонид и арсенид индия хорошо изучены, обладают высокой технологичностью. С учетом их широкого использования в электронике они безусловно перспективны для производства в космосе. Антимонид и арсенид индия являются базовыми материалами для производства фотоприемников инфракрасного излучения, фотоэлементов, детекторов, различных датчиков. Фосфид галлия используется для создания источников света, лазеров, солнечных батарей и др. Качество создаваемых приборов зависит от совершенства структуры, равномерности распределения легирующих примесей. Поэтому на экспериментальных технологических установках была проведена серия экспериментов в космосе с целью изучения возможностей их изготовления.

В целом эксперименты на станциях Салют с соединениями АШВУ подтвердили возможность получения кристаллов хорошего качества на ампульных установках. В то же время обнаружено большое влияние стенок ампул на качество кристаллов при использовании наиболее распространенного метода направленной кристаллизации. Хорошие результаты получены при использовании методов газотранспортного переноса и движущегося растворителя.
СОЕД�НЕН�Я АПВУ1
Наиболее перспективными соединениями второй и шестой групп таблицы Менделеева являются CdS, CdTe, CdSe, HgSe, PbSe. Прикладное значение этих соединений очень велико. Сульфид кадмия применяется в фотоприемниках, лазерах. Селениды кадмия, ртути и свинца используются в производстве термочувствительных элементов видеоканалов, цветных дисплеев, лазеров. В это семейство соединений входят также теллуриды кадмия, свинца, используемые в различных устройствах.
Большой интерес представляет тройное соединение CdHgTe, особенно для приемников инфракрасного излучения.
Температура плавления у соединений A11 BVI в среднем выше, чем у соединений A*'IBV. Технология синтеза и выращивания кристаллов на Земле путем осаждения из газовой фазы достаточна сложна. В связи с этим существуют основания для улучшения качества кристаллов в условиях микроускорений и подавления конвективного тепло- и массопереноса.
На околоземном спутнике Салют в качестве основных методов получения соединений A»BVI использовались метод сублимации из паровой фазы на ориентированную затравку, метод химического газотранспортного переноса и кристаллизации на затравку из раствора в расплаве.
В ряде случаев удалось получить существенное уменьшение плотности дислокаций, улучшение равномерности распределения примесей и электрофизических характеристик.